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电子元器件详细资料 » IC[20689] » IXTN120P20T
型号:IXTN120P20T类别:FET制造商:IXYS
封装:SOT-227-4,miniBLOC描述:MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227

详细参数

类别FET
描述MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
系列TrenchP™
制造商IXYS
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)200V
电流_连续漏极(Id)0a025000C106A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C30 毫欧 @ 60A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs740nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds73000pF @ 25V
功率_最大830W
安装类型底座安装
封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装SOT-227
包装管件

供应商

江苏芯钻时代电子科技有限公司陈先生18913062888
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